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硅片回收之多晶硅化學生產方法
(1)石英砂在電弧爐中冶煉提純到98%并生成工業硅，其化學反應Si02+C -*Si+C 02t
(2)為了滿足高純度的需要，必須進一步提純。把工業硅粉碎并用無水氯化氫(HCD與之反應在一個流化床反應器中，生成擬溶解的三氯氫硅(SiHC13)。其化學反應Si+HCI-*SiHC13+H2T反應溫度為300度，該反應是放熱的。同時形成氣態混合物(H2，HC1，SiHC13，SiC14，Si)。
(3)第二步驟中產生的氣態混合物還需要進一步提純，需要分解：過濾硅粉，冷凝SiHC13，SiC14，而氣態H2，HCI返回到反應中或排放到大氣中。然后分解冷凝物SiHC13，SiC14，凈化三氯氫硅（多級精餾）。
(4)凈化后的三氯氫硅采用高溫還原工藝，以高純的SiHC13在H2氣氛中還原沉積而生成多晶硅。
萁化學反應SiHC13+H2 -*Si+HCI。
多晶硅的反應容器為密封的，用電加熱硅池硅棒（直徑5-10毫米，長度1.5-2米，數量80根），在1050-1100度在棒上生長多晶硅，直徑可達到150-200毫米。這樣大約三分之一的三氯氫硅發生反應，并生成多晶硅。剩余部分同H2，HCI，SiHC13，SiC14從反應容器中分離。這些混合物進行低溫分離，或再利用，或返回到整個反應中。氣態混合物的分離是復雜的、耗能量大的，從某種程度上決定了多晶硅的成本和該工藝的競爭力。

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