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硅片回收之半硅片的化學清洗工藝原理
    硅片經過不同工序加工后，其表面己受到嚴重沾污，一般講硅片表面沾污大致可分在三類：
    A．有機雜質沾污：可通過有機試劑的溶解作用，結合超聲波清洗技術來去除。
    B．顆粒沾污：運用物理的方法可采機械擦洗或超聲波清洗技術來去除粒徑≥0.4 IJm顆粒，利用兆聲波可去除≥0.2 pm顆粒。
    C．金屬離子沾污：必須采用化學的方法才能清洗其沾污，硅片表面金屬雜質沾污有兩大類：
    a．一類是沾污離子或原子通過吸附分散附著在硅片表面。
    b．另一類是帶正電的金屬離子得到電子后面附著（尤如“電鍍”）到硅片表面。
    硅拋光片的化學清洗目的就在于要去除這種沾污，一般可按下述辦法進行清洗去除沾污。
    a．使用強氧化劑使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子、氧化成金屬，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。
    b．用無害的小直徑強正離子（如H+）來替代吸附在硅片表面的金屬離子，使之溶解于清洗液中。
    c．用大量去離水進行超聲波清洗，以排除溶液中的金屬離子。
  
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